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本發(fā)明涉及光子晶體和分子印跡技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一維光子晶體結(jié)構(gòu)聚合物膜的制備方法。
背景技術(shù):
分子印跡技術(shù)是由模板誘導(dǎo)在聚合物中形成特定識(shí)別位點(diǎn)的過(guò)程,在傳統(tǒng)的分子印跡檢測(cè)法中,由于使用單一的功能單體進(jìn)行聚合時(shí),會(huì)受到溶液離子強(qiáng)度等的影響,出現(xiàn)溶脹率較大,聚合物破損等,不利于聚合物的制備。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明提供一維光子晶體結(jié)構(gòu)聚合物膜的制備方法。采用跨度為761nm,高度為75nm,寬度為350nm的一維光子晶體模板,通過(guò)將光子晶體和分子印跡技術(shù)相結(jié)合,根據(jù)不同濃度甲基苯丙胺對(duì)分子印跡聚合物膜的作用不同,利用光學(xué)光譜儀測(cè)定反射峰強(qiáng)度的變化,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)甲基苯丙胺的檢測(cè)。
檢測(cè)原理為:當(dāng)白色入射光照射在傳感器表面時(shí),反射光的波長(zhǎng)符合光柵方程:mλ=d(sinθ1+θd),其中m為衍射級(jí)數(shù),λ為衍射光波長(zhǎng),θ1為光源入射角;θd為反射角;d為光柵周期。
當(dāng)分子印跡膜與樣品分子結(jié)合時(shí),樣品分子進(jìn)入分子印跡空腔,產(chǎn)生結(jié)構(gòu)變化,會(huì)引起膜上面的臺(tái)階高度的改變,從而影響反射光譜的反射率,反射率的變化隨濃度的變化呈線性關(guān)系,從而檢測(cè)樣品分子濃度。