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WaveDriver200

型號(hào):WaveDriver200

產(chǎn)地:美國(guó)

簡(jiǎn)介:PINE公司推出新一代WaveDriver200恒電位儀 恒電流儀 零電阻電流計(jì),可以用于兩電極、三電極、四電極模式,具有交流阻抗功能(EIS),可以廣泛地應(yīng)用于燃料電池、鋰電池、太陽(yáng)能電池...

立即聯(lián)系

 PINE公司推出新一代WaveDriver200恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì),可以用于兩電極、三電極、四電極模式,具有交流阻抗功能(EIS),可以廣泛地應(yīng)用于燃料電池、鋰電池、太陽(yáng)能電池、隔膜、超級(jí)電容器、傳感器、涂層、緩蝕劑、物理化學(xué)等研究領(lǐng)域,經(jīng)典應(yīng)用為旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極(RRDE)測(cè)試。


詳細(xì)介紹:

1.接線(xiàn):兩電極、三電極、四電極模式 ,具備浮地功能2.最小電壓分辨率:78μV

3.最小電流分辨率:3.13pA

4.轉(zhuǎn)換速率:最快10 V/μs

5.紋波噪聲:<10mVRMS

6.模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器:16bit

7.順從電壓:±17V

8.泄漏電流:<10pA

9.帶寬(3dB):>15 MHz

10.最大采樣點(diǎn):1000萬(wàn)個(gè)/每次實(shí)驗(yàn)

11.儀器尺寸:160(寬)*255(高)*324(長(zhǎng))mm

12.儀器重量:4.6kg

13.IR補(bǔ)償:交流阻抗法(EIS)、電流中斷法(CI)、正反饋法(PF)



主要特點(diǎn)

高性?xún)r(jià)比、雙恒電位儀(四電極模式)、RRDE測(cè)試功能強(qiáng)大(6種測(cè)量模式)、EIS交流阻抗測(cè)試功能強(qiáng)大、軟件功能強(qiáng)大(可建測(cè)試模板、可編程測(cè)試等)。


EIS交流阻抗參數(shù)

1)交流阻抗頻率范圍:10μHz-1 MHz

2)頻率精度:±10ppm

3)數(shù)據(jù)曲線(xiàn):Lissajous、Bode、Nyqusit、 Mott-Schottky

4)數(shù)據(jù)模型:Circuitfit、Transmissionline、Kramers-Kronig

5)Circuit fitting方法:修正的Levenberg-Marquardt法、Simplex法、Powell法

6)Circuit fitting選項(xiàng):動(dòng)態(tài)選擇點(diǎn)、單位和參數(shù)

7)掃描方式:線(xiàn)性、對(duì)數(shù)、自定義


RRDE測(cè)試方法

1)Rotating Ring-Disk Voltammetry 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極測(cè)試方法(RRDE)。        

2)RRDE方法包含6種測(cè)試模式,功能強(qiáng)大。

3)Collection Mode:盤(pán)電極設(shè)置CV或LSV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電壓CA方法;

4)Shielding Mode:盤(pán)電極設(shè)置恒電壓CA方法,環(huán)電極設(shè)置CV或LSV方法;

5)Window Mode:盤(pán)和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法;

6)Diametric Mode:盤(pán)電極和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法,但是呈鏡像測(cè)試;

7)Galvanostatic Mode:盤(pán)電極設(shè)置CV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電流CP方法;

8)Galvanostatic ShieldingMode盤(pán)電極設(shè)置恒電流CP方法,環(huán)電極設(shè)置CV方法。


電壓參數(shù)

1)最大施加電壓:±15V

2)準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電壓)、±0.05%(測(cè)量電壓)

3)電壓量程:3檔(±2.5 V, ±10 V, ±15 V)

4)電壓分辨率:對(duì)應(yīng)上述3檔量程分別為78 μV/bit、313 μV/bit和469μV/bit


電流參數(shù)

1)最大施加電流:±1A

2)適用電流工作范圍:±20pA到±1 A

3)準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電流)、±0.05%(測(cè)量電流)

4)電流量程:8檔(從±100 nA到±1 A)

5)電流分辨率:0.0031%


電化學(xué)方法

1)Open Circuit Potential 開(kāi)路電位法(OCP)

2)Bulk electrolysis 電解法(BE)

3)Cyclic Voltammetry 循環(huán)伏安法(CV)

4)Linear Sweep Voltammetry線(xiàn)性?huà)呙璺卜ǎ↙SV)

5)Spectroelectrochemistry 光譜電化學(xué)測(cè)試方法(SPECE)

6)Staircase Voltammetry 階躍伏安法(SCV)

7)Chronoamperometry 計(jì)時(shí)電流法/恒電位法(CA)

8)Double Potential StepChronoamperometry 雙電位階躍計(jì)時(shí)電流法(DPSCA)

9)Cyclic StepChronoamperometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電流法(CSCA)

10)Chronopotentiometry 計(jì)時(shí)電位法(CP)

11)Ramp Chronopotentiometry斜坡計(jì)時(shí)電位法(RCP)

12)StaircasePotentiometry  階躍計(jì)時(shí)電位法(SCP)

13)Cyclic StepChronopotentiometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電位法(CSCP)

14)Differential pulseVoltammetry 差分脈沖伏安法(DPV)

15)Square-Wave Voltammetry 方波循環(huán)伏安法 (SWV)

16)NormalPulse Voltammetry 常規(guī)脈沖伏安法(NPV)

17)RotatingMethods 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)圓環(huán)電極測(cè)試方法

18)RotatingDisk Voltammetry (RDE)

19)RotatingDisk Koutecky-Levich (KL-RDE)

20)RotatingDisk Electrolysis (BE-RDE)

21)RotatingDisk Chronopotentiometry (CP-RDE)

22)RotatingDisk Ramp Chronopotentiometry (RCP-RDE)

23)RotatingRing-Disk Voltammetry (RRDE)

24)RotatingRing-Disk Electrolysis (BE-RRDE)

25)RotatingRing-Disk Koutecky-Levich (KL-RRDE)

26)Corrosion Methods 腐蝕電化學(xué)方法

27)Linear PolarizationResistance (LPR)

28)Rotating CylinderVoltammetry (RCE)

29)Rotating CylinderElectrolysis (BE-RCE)

30)Rotating CylinderEisenberg Study (EZB-RCE)

31)Rotating Cylinder Open CircuitPotential (OCP-RCE)

32)Rotating CylinderPolarization Resistance (LPR-RCE)

33)Rotating Cylinder Chronopotentiometry(CP-RCE)

34)Rotating Cylinder Ramp Chronopotentiometry(RCP-RCE)


詳細(xì)參數(shù)

  •  

  • 模式

    恒電位儀(POT),電流(GAL),零電阻電流表(ZRAA)

    單元連接 

    2, 3,或者4 lead

    漂?。ㄅc地面隔離)

    最小電壓分辨率(應(yīng)用/測(cè)量)

    78μV

    最小電流分辨率(應(yīng)用/測(cè)量)

    3.13 pA

    回轉(zhuǎn)速率

    10 V/μs(最快速度設(shè)置)

    噪聲和波紋

    <10 mVRMS

    測(cè)量/應(yīng)用電位范圍

    3個(gè)范圍:±2.5 V,±10 V,±15 V

    實(shí)際應(yīng)用/測(cè)量電流范圍

    ±100 pA -±1 A

    模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換

    16 bit

    合規(guī)電壓

    ±17 V

    輸入泄漏

    <10 pA

    帶寬(3db)

    >15 mHz

    最大數(shù)據(jù)點(diǎn)

    <10 million per experiment

    紅外補(bǔ)償

    阻抗(EIS)、電流中斷(CI)和正反饋(PF)

    尺寸

    6.3 (w)× 10 (h)× 12.8 (l) in
    160 (w)× 255 (h)× 324 (l) mm
























阻抗/電化學(xué)阻抗譜
頻率范圍                           10μHz - 1 MHz
頻率穩(wěn)定性                                  ±10 ppm
準(zhǔn)確度   
                          


數(shù)據(jù)表示                     Lissajous, Bode, Nyquist, Mott-Schottky
數(shù)據(jù)分析                     電路安裝,傳輸線(xiàn),Kramers Kronig
電路擬合方法                        改進(jìn)Levenberg-Marquardt, Simplex, Powell
電路配件選項(xiàng)                        動(dòng)態(tài)點(diǎn)選擇、統(tǒng)一、參數(shù)化
頻率掃描                           線(xiàn)性、對(duì)數(shù)、自定義列表

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